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大日本印刷 5ナノメートル対応 EUVリソグラフィ向けフォトマスクプロセスを開発

2020.7.10

EUVリソグラフィ向け5nmプロセスに相当する高精度なフォトマスク(左)、パターン拡大写真(右)

EUVリソグラフィ向け5nmプロセスに相当する高精度なフォトマスク(左)、パターン拡大写真(右)

大日本印刷は、マルチ電子ビームを使うマスク描画装置を利用し、現在の半導体製造の最先端プロセスであるEUV(Extreme Ultra-Violet:極端紫外線)リソグラフィに対応する、5ナノメートルプロセス相当のフォトマスク製造プロセスを開発した。

〇現在の半導体製造では、フォトリソグラフィ技術によって十数nmの回路パターンをシリコンウェハに形成している。しかし、フォトリソグラフィ用の光源に、波長が193nmのArF(フッ化アルゴン)等のエキシマレーザーを使用しているため、解像度に限界があった。EUVリソグラフィでは、波長が13.5nmのEUVを光源とすることで、数nmの回路パターンの形成が可能になる。同技術は、一部の半導体メーカーで、5~7nmプロセスのマイクロプロセッサーや最先端メモリデバイス等での実用化が始まっており、今後は最先端プロセスを手掛ける多くの半導体メーカーで利用が拡大すると見込まれている。