EUVリソグラフィ向け5nmプロセスに相当する高精度なフォトマスク（左）、パターン拡大写真（右）

大日本印刷は、マルチ電子ビームを使うマスク描画装置を利用し、現在の半導体製造の最先端プロセスであるEUV（Extreme Ultra-Violet：極端紫外線）リソグラフィに対応する、5ナノメートルプロセス相当のフォトマスク製造プロセスを開発した。

〇現在の半導体製造では、フォトリソグラフィ技術によって十数nmの回路パターンをシリコンウェハに形成している。しかし、フォトリソグラフィ用の光源に、波長が193nmのArF（フッ化アルゴン）等のエキシマレーザーを使用しているため、解像度に限界があった。EUVリソグラフィでは、波長が13.5nmのEUVを光源とすることで、数nmの回路パターンの形成が可能になる。同技術は、一部の半導体メーカーで、5～7nmプロセスのマイクロプロセッサーや最先端メモリデバイス等での実用化が始まっており、今後は最先端プロセスを手掛ける多くの半導体メーカーで利用が拡大すると見込まれている。